Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SK1017 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SK1017

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 450

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 20

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SK1017 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.35

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3P

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SK1019 , 2SK1059 , 2SK1060 , 2SK1132 , 2SK1133 , 2SK1185 , 2SK1483 , 2SK1494 , 2SK1589 , 2SK1596 , 2SK1852 , 2SK195 , 2SK1954 , 2SK1988 , 2SK2055 , 2SK2110 , 2SK2413 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved