Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

MTP3055E - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: MTP3055E

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 70

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 14

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora MTP3055E (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 450

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.15

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: MTP3055EFI , MTP30N08M , MTP3N50E , NDB4050 , NDB4050L , NDB510A , NDC652P , NDH8304P , NDP6030 , NDP6051 , NDS356AP , NDS8426A , NDS8435A , NDS8961 , NDS9957 , NDT2955 , PHB2N60E ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved