Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTZ35N25MA - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTZ35N25MA

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 35

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTZ35N25MA (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: ZPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTZ35N25MB , IXTZ42N20MB , IXTZ67N10MA , J110 , J111 , JANSR2N7292 , LS3958 , MMBF170 , NDB4060L , NDB510A , NDB7061L , NDC632P , NDC652P , NDH8302P , NDP408A , NDP508A , NDP708A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved