Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTM6N80A - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTM6N80A

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 180

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 800

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTM6N80A (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.4

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO204

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTM6N90 , IXTM75N10 , IXTN21N100 , IXTP15N30MB , IXTP1N100 , IXTP30N10MA , JANSR2N7278 , JANSR2N7399 , KP103M , MEM554 , NDB4060 , NDB5060 , NDB508A , NDB6030 , NDB7051 , NDB7060 , NDP4060L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved