Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTH6N80 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTH6N80

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 180

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 800

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTH6N80 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.8

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTH6N80A , IXTH6N90A , IXTH75N10 , IXTK33N45 , IXTK33N50 , IXTM13N80 , IXTP30N08MB , IXTP8N50MB , J113 , JANSR2N7292 , KP103L , LS3955 , LS3958 , MEM610 , MTP30N08M , MTP6N60 , NDB7050L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved