Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTH27N40MA - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTH27N40MA

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 400

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 27

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTH27N40MA (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.18

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTH27N40MB , IXTH30N50 , IXTH31N15MA , IXTH33N45 , IXTH35N25MA , IXTH42N15MA , IXTM12N90 , IXTM24N50 , IXTP22N15MB , IXTP30N10MA , J112 , JANSR2N7272 , JANSR2N7278 , JANSR2N7396 , KP101D , KP103I , MTP30N05E ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved