Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXTH12N100 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXTH12N100

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 1000

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 12

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXTH12N100 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.05

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXTH12N45MA , IXTH12N50A , IXTH12N50MA , IXTH13N80 , IXTH14N100 , IXTH20N55MA , IXTH40N30 , IXTH50N20 , IXTM10N100 , IXTM13N80 , IXTP22N15MA , IXTP2N80 , IXTP30N08MB , IXTP8N45MB , IXTZ42N20MB , J109 , KF910 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved