Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFT7N90 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFT7N90

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 180

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 7

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFT7N90 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.5

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO268

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFT80N10Q , IXFX100N25 , IXFX120N20 , IXFX15N100 , IXFX16N90 , IXFX34N80 , IXTH20M60MB , IXTH23N25MA , IXTH35N30 , IXTH42N15MA , IXTK74N20 , IXTM12N100 , IXTM12N90 , IXTM20N60 , IXTM75N10 , IXTP15N30MA , IXTZ42N20MA ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved