Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFR24N50 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFR24N50

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 250

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 22

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFR24N50 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.23

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFR24N50Q , IXFR26N50Q , IXFR30N50Q , IXFR58N20Q , IXFR80N20Q , IXFT20N60Q , IXFX32N50Q , IXFX90N20Q , IXTH15N35MA , IXTH20N55MA , IXTH35N25MB , IXTH39N10MA , IXTH40N30 , IXTH42N20MA , IXTH6N90A , IXTK21N100 , IXTM6N90A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved