Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2N6756JTX - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2N6756JTX

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 75

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 14

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2N6756JTX (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 800

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.33

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO204

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2N6756JTXV , 2N6758 , 2N6758JAN , 2N6758JTXV , 2N6759 , 2N6762 , 2N6770JANTXV , 2N6782 , 2N6788JANTX , 2N6790 , 2N6796SM , 2N6798 , 2N6798JANTXV , 2N6799-SM , 2N6845 , 2N6851 , 2N6963 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved