Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SJ526 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SJ526

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 25

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 12

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SJ526 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 600

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.16

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220FM

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SJ527 , 2SJ529 , 2SJ530 , 2SJ534 , 2SJ535 , 2SJ546 , 2SK1184 , 2SK1190 , 2SK1294 , 2SK1484 , 2SK1588 , 2SK1592 , 2SK1594 , 2SK1664 , 2SK1793 , 2SK1824 , 2SK2054 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved