Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFN25N90 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFN25N90

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 600

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 25

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFN25N90 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.33

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT227B

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFN26N90 , IXFN280N07 , IXFN32N60 , IXFN36N60 , IXFN39N90 , IXFN50N50 , IXFT15N80Q , IXFT30N50 , IXFX180N085 , IXFX34N80 , IXTH14N80 , IXTH15N40MB , IXTH20M60MB , IXTH20N60MA , IXTH30N50 , IXTH31N20MB , IXTH6N90 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved