Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFM12N90Q - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFM12N90Q

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 12

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFM12N90Q (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.9

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO204

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFM13N50 , IXFM14N80 , IXFM15N60 , IXFM24N50 , IXFM35N30 , IXFM7N80 , IXFN48N50U3 , IXFN90N30 , IXFT12N100 , IXFT20N60Q , IXFX180N07 , IXFX26N90 , IXFX32N50Q , IXFX50N50 , IXTH12N50A , IXTH13N110 , IXTH30N45 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved