Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFK180N10 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFK180N10

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 560

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 180

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFK180N10 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.008

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO264

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFK20N80Q , IXFK26N90 , IXFK27N80 , IXFK34N80 , IXFK35N50 , IXFK55N50 , IXFM75N10 , IXFN130N30 , IXFN44N50U2 , IXFN50N50 , IXFT10N100 , IXFT14N100 , IXFT15N80Q , IXFT26N50Q , IXFX100N25 , IXFX150N15 , IXTH12N45MB ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved