Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFH58N20 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFH58N20

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 58

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFH58N20 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.04

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFH58N20Q , IXFH67N10 , IXFH6N100 , IXFH75N10 , IXFH75N10Q , IXFH9N80 , IXFK52N30Q , IXFK80N20Q , IXFM42N20 , IXFM7N80 , IXFN44N50 , IXFN44N80 , IXFN48N50U3 , IXFN73N30 , IXFR26N50Q , IXFR55N50 , IXFT80N20Q ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved