Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRLU3410 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRLU3410

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 52

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 4.5

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 15

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRLU3410 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO251AA

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRLW510A , IRLW530A , IRLW540A , IRLW640A , IRLWZ14A , IRLZ24 , IXBH15N160 , IXBH9N140 , IXFH16N90 , IXFH24N50 , IXFH76N07-11 , IXFH80N10Q , IXFH8N80 , IXFJ40N30 , IXFK26N90 , IXFK33N50 , IXFM13N80 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved