Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRLS510A - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRLS510A

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 23

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRLS510A (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 180

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.44

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220F

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRLS520A , IRLS540A , IRLS610A , IRLSZ14A , IRLSZ24A , IRLU024A , IRLZ20 , IRLZ30 , ITF87052SVT , IXBH15N170 , IXFH15N80 , IXFH20N80Q , IXFH22N55 , IXFH26N60Q , IXFH67N10 , IXFH70N15 , IXFK26N60Q ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved