Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRLML5103 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRLML5103

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.54

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 4.5

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.61

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRLML5103 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT23

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRLML6302 , IRLML6402 , IRLMS1503 , IRLMS5703 , IRLMS6702 , IRLR024N , IRLU024 , IRLU130A , IRLWZ34A , IRLZ24 , ITF87012SVT , ITF87072DK8T , IXBH15N160 , IXBH40N140 , IXFH13N50 , IXFH14N80 , IXFH60N25Q ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved