Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRLI620G - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRLI620G

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 30

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 4.5

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.1

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRLI620G (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.8

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRLI630A , IRLI640A , IRLI640G , IRLIZ24G , IRLIZ24N , IRLL014N , IRLR024A , IRLR210A , IRLSZ44A , IRLU024A , IRLWZ24A , IRLZ14 , IRLZ20 , IRLZ24NL , ITF86110DK8T , ITF86174SQT , IXFH12N90Q ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved