Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRFS730 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRFS730

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 400

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRFS730 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRFS730A , IRFS732 , IRFS733 , IRFS742 , IRFS743 , IRFS830A , IRFS9531 , IRFS9543 , IRFSZ24A , IRFSZ35 , IRFU130A , IRFU214 , IRFU220 , IRFU224A , IRFU5410 , IRFU9012 , IRFW614A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved