Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRFS542 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRFS542

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 40

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 25

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRFS542 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRFS543 , IRFS610A , IRFS614A , IRFS624 , IRFS624A , IRFS640 , IRFS830 , IRFS840A , IRFS9520 , IRFS9532 , IRFSZ24 , IRFSZ32 , IRFSZ34A , IRFSZ44 , IRFU110A , IRFU120A , IRFU5305 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved