Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRFPC50 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRFPC50

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 180

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 10

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 11

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRFPC50 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3P

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRFPC50A , IRFPC60 , IRFPC60LC , IRFPF30 , IRFPF40 , IRFR012 , IRFR230A , IRFR3910 , IRFR9120N , IRFR9222 , IRFS241 , IRFS250 , IRFS251 , IRFS330 , IRFS430 , IRFS440 , IRFS550A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved