Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRFN250 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRFN250

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 100

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 22

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRFN250 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 3500

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.105

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220SM

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRFN340 , IRFN440 , IRFN450 , IRFN9140SMD , IRFN9240 , IRFP064N , IRFP243 , IRFP251 , IRFP350FI , IRFP360 , IRFP9130 , IRFP9140 , IRFP9141 , IRFP9230 , IRFPC60 , IRFPE50 , IRFR120N ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved