Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF7807 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF7807

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 4.5

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 8.3

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF7807 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.025

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF7809 , IRF820 , IRF820A , IRF820S , IRF821 , IRF830FI , IRF9521 , IRF9530NL , IRF9622 , IRF9633 , IRF9Z34N , IRF9Z35 , IRFB9N30A , IRFBA22N50A , IRFBC40L , IRFBE30 , IRFDC20 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved