Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF630S - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF630S

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 74

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 10

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 9

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF630S (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.4

WYTWÓRCA:

CIAŁO: D2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF631 , IRF633 , IRF634 , IRF636A , IRF640 , IRF644 , IRF730FI , IRF7324D1 , IRF7421D1 , IRF7509(N) , IRF822 , IRF830A , IRF830AS , IRF831FI , IRF9140 , IRF9510 , IRF9543 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved