Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF541 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF541

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 125

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 80

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 28

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF541 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.077

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF542 , IRF550A , IRF610 , IRF612 , IRF613 , IRF620S , IRF643 , IRF650A , IRF7233 , IRF730S , IRF742 , IRF744 , IRF7507(P) , IRF7521D1 , IRF820 , IRF820FI , IRF9130 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved