Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF512 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF512

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 43

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.9

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF512 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.8

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF513 , IRF520A , IRF520FI , IRF5210 , IRF5210L , IRF530A , IRF620FI , IRF622 , IRF640FI , IRF644 , IRF723 , IRF730AL , IRF730FI , IRF7321D2 , IRF740AS , IRF7413 , IRF7811 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved