Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRC6305 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRC6305

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 74

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 10

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 9

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRC6305 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.4

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRC6345 , IRC6445 , IRC720 , IRC830 , IRC830-007 , IRC833A , IRF1310NS , IRF150 , IRF350 , IRF430 , IRF5210S , IRF5305 , IRF5305S , IRF530NL , IRF550A , IRF611 , IRF632 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved