Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRC150 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRC150

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 180

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 41

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRC150 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 960

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.055

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO204

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRC220 , IRC230 , IRC234 , IRC254 , IRC320 , IRC520 , IRC833 , IRCP150 , IRF1010NS , IRF140 , IRF3415S , IRF3710 , IRF3710S , IRF451 , IRF520A , IRF521 , IRF543 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved