Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

HUF76423P3 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: HUF76423P3

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 85

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 16

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 33

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HUF76423P3 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.035

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: HUF76423S3S , HUF76429D3S , HUF76429P3 , HUF76437P3 , HUF76437S3S , HUF76609D3S , IRC450 , IRC530A , IRC8305 , IRC833A , IRF1010NL , IRF1310N , IRF1310NS , IRF142 , IRF330 , IRF340 , IRF520 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved