Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

HUF76129D3S - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: HUF76129D3S

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 105

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 16

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 20

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HUF76129D3S (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.016

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252AA

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: HUF76129P3 , HUF76131SK8 , HUF76132P3 , HUF76137S3S , HUF76139P3 , HUF76407DK8 , HUF76609D3 , HUF76633P3 , IRC340 , IRC520 , IRC830-008 , IRC832-007 , IRC833 , IRCP054 , IRCZ445 , IRF1010EL , IRF3205S ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved