Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

HUF75344S3S - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: HUF75344S3S

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 285

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 55

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 75

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HUF75344S3S (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.008

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: HUF75345G3 , HUF75345S3S , HUF75545P3 , HUF75631SK8 , HUF75637P3 , HUF76105DK8 , HUF76407D3S , HUF76413D3 , HUF76439S3S , HUF76609D3S , IRC330 , IRC430 , IRC450 , IRC530-008 , IRC6445 , IRC820 , IRCZ345 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved