Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

HUF75321S3 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: HUF75321S3

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 70

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 55

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 35

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HUF75321S3 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 709

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.032

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TP262AA

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: HUF75321S3S , HUF75329D3 , HUF75329D3S , HUF75329S3S , HUF75329S3ST , HUF75333S3ST , HUF75652G3 , HUF76113DK8 , HUF76143P3 , HUF76407DK8 , HUF76439P3 , HUF76445P3 , HUF76609D3 , HUF76629D3 , IRC230 , IRC250 , IRC6405 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved