Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

HAF2005 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: HAF2005

Technologia: FET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 30

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 16

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 40

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HAF2005 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.025

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220FM

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: HAF2007 , HAF2011 , HAF2012 , HAT1040T , HAT1041T , HAT2040R , HUF75229P3 , HUF75309D3 , HUF75332P3 , HUF75333S3ST , HUF75637S3S , HUF75645P3 , HUF75652G3 , HUF76107D3S , HUF76131SK8 , HUF76137P3 , HUF76429D3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved