Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FRM9130R - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FRM9130R

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 75

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FRM9130R (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 220

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.55

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO204AA

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FRM9140D , FRM9140R , FRM9230D , FRM9240H , FRM9240R , FRS140H , FRS9240H , FRX130H1 , FSF9250D , FSJ260D , FSL9110D , FSL913AOD , FSL9230D , FSS130D , FSS9130D , FSS9230D , HAF2008 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved