Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

AP30T10GI-HF - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: AP30T10GI-HF

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 31.3

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 16

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora AP30T10GI-HF (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 18

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 115

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.055

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220CFM

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: AP30T10GK-HF , AP30T10GP-HF , AP30T10GS-HF , AP3402GEJ , AP3403GH , AP3987R , 2SK494 , 2SK530 , AP40T03GI , AP40T10GP-HF , AP4411GM , AP4415GJ , AP4416GH , AP4418GJ , AP4430GEM , AP4434AGH-HF , AP4455GYT-HF ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved