Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

AP2761S-A-HF - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: AP2761S-A-HF

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 104

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 650

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 10

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora AP2761S-A-HF (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 20

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 160

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: AP2762I-A-HF , AP2762R-A-HF , AP2762S-A-HF , AP2764AI-A-HF , AP2764AI-HF , AP2R403AGMT-HF , AP3987P-HF , AP3989R-HF , 2SK443 , 2SK511 , AP40T03GH , AP40T03GS , AP40T10GI-HF , AP4224GM , AP4407GS , AP4409GEP-HF , AP4429GM-HF ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved