Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FK20VS-5 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FK20VS-5

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 20

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FK20VS-5 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 1400

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.24

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220S

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FK20VS-6 , FK25SM-6 , FK30SM-5 , FK7UM-12 , FK7VS-12 , FRE264H , FRK150H , FRK250H , FRK9260D , FRL230D , FRM230R , FRM240D , FRM240R , FRM430D , FRM9140R , FRM9240D , FRS430R ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved