Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

AP2604GY-HF - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: AP2604GY-HF

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora AP2604GY-HF (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 8

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 105

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.045

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT26

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: AP2605GY , AP2606AGY-HF , AP2606GY-HF , AP2608AGY-HF , AP2608GY , AP2614GY-HF , AP2N7002K-HF , AP2RA04GMT-HF , AP3405GH-HF , AP3987R , 2SK439 , 2SK447 , 2SK494 , 2SK525 , AP4085W , AP40P03GI-HF , AP4407GP ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved