Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

AP18T10AGH-HF - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: AP18T10AGH-HF

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 27.8

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 9

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora AP18T10AGH-HF (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 10

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 55

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.16

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: AP18T10AGJ-HF , AP18T10GH-HF , AP18T10GI , AP18T20GH-HF , AP18T20GI-HF , 2SK3614 , AP20T15GP-HF , AP2301N-HF , 2SK3794-Z , 2SK3879 , AP2318AGEN-HF , AP2323GN-HF , AP2325GEN-HF , AP2329GN-HF , AP2428GN3 , 2SK404 , AP2605GY0-HF ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved