Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

AP10N70P-A - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: AP10N70P-A

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 174

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 650

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 10

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora AP10N70P-A (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 19.7

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 630

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: AP10N70R-A , AP10N70W , AP10P10GH-HF , 2SK3287 , 2SK3288 , AP1203AGMT-HF , 2SK3480 , 2SK3481-ZJ , AP15T20GH-HF , AP18N20GH-HF , AP1R803GMT-HF , 2SK359 , 2SK3611 , 2SK3664 , 2SK377 , AP20N15AGH-HF , AP2306AGEN-HF ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved