Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SJ417 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SJ417

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 20

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SJ417 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 50

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 230

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.12

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TP

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SJ419 , 2SJ420 , 2SJ421 , 2SK3116-ZJ , 2SK3129 , AP04N60S-H-HF , AP05N50P , AP07N70CI-H , AP09N50I-HF , AP09N70P-H , 2SK3289 , 2SK3310 , 2SK3378 , AP1333GU , AP15P10GJ-HF , AP15P15GI , 2SK3488 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved