Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

AP02N70EJ - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: AP02N70EJ

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 45

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 700

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 1.6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora AP02N70EJ (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 8

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 30

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 7

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO251

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: AP02N90H-HF , AP02N90J-HF , AP02N90P-HF , AP03N40AP-HF , AP03N40I-HF , AP03N70J-A-HF , AP04N60R-A-HF , AP04N70BS-H-HF , AP05N50EI-HF , AP05N50S-HF , AP09N50I , AP09N70I-A-HF , AP09N70R-H , AP09N70R-A-HF , AP10N70W , 2SK3285 , AP15P10GH-HF ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved