Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SGSP363 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SGSP363

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 100

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 10

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SGSP363 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 40

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 260

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.45

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SGSP364 , SGSP369 , SGSP381 , SGSP471 , SGSP472 , SGSP492 , 2SJ181 , 2SJ362 , 2SK1093 , 2SK1117 , 2SK1402A , 2SK1507-01MR , 2SK1520 , 2SK1540L , 2SK1667 , 2SK1690 , 2SK1968 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved