Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IRF532FI - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IRF532FI

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 8

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IRF532FI (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 75

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 260

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.23

WYTWÓRCA:

CIAŁO: ISOWATT220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IRF533FI , IRF542FI , IRF543FI , IRF623FI , IRF721FI , IRF743FI , SGSP230 , SGSP319 , SGSP475 , SGSP492 , 2SJ116 , 2SJ130 , 2SJ181 , 2SJ319 , 2SJ576 , 2SJ74 , 2SK133 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved