Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

H4422S - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: H4422S

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 11

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora H4422S (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0135

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: H4435S , H4946S , H50N03J , H8205A , H9435S , HIRF740F , IRF742FI , IRF842FI , SGS35MA050D1 , SGSP239 , SGSP474 , SGSP481 , SGSP491 , SGSP577 , 19MT050XF , 2SJ109 , 2SJ574 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved