Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SE2312 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SE2312

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 8

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SE2312 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 20

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 105

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0318

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT23

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SE2321 , SE3401 , SE3404 , SE4812LT1 , SE9435LT1 , H02N60E , H12N60E , H2305N , H9926TS , HIRF740F , IRF722FI , IRF733FI , IRF742FI , IRF832FI , MTH40N06FI , MTP15N06LFI , SGSP367 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved