Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

KHB7D5N60F2 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: KHB7D5N60F2

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 48

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 7.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KHB7D5N60F2 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 130

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 121.8

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220IS

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: KHB7D5N60P1 , KHB8D8N25F2 , KHB8D8N25P , KHB9D0N90F1 , KHB9D0N90N1 , KMB035N40DC , KTK951S , KHB019N20F2 , 2N7002DW1T1 , 2SK3018WT1 , SMG2305L , H01N60SA , H01N60SJ , H02N60J , H05N50F , H06N60F , H4946DS ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved