Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDR8305N - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDR8305N

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.8

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDR8305N (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.022

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SUPERSOT8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDR8308P , FDR838P , FDR8508P , FDS3580 , FDS4410 , FDS6575 , FDT457N , FK10KM-10 , FK14VS-9 , FK16UM-6 , FRE160D , FRE260H , FRE264D , FRE460H , FRF254D , FRF450H , FRK460D ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved