Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

KHB1D0N70G - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: KHB1D0N70G

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 3

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 700

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.4

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KHB1D0N70G (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 10

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 23.5

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 9

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO92

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: KHB1D9N60D , KHB2D0N60F , KHB2D0N60F2 , KHB3D0N90F1 , KHB3D0N90F2 , KHB4D5N60F , KMB012N30QA , KU024N06P , KMC6D5CN20CA , KTK921U , 2N4003NLT1 , 2N7002NT1 , 2SK3018LT1 , BSS123LT1 , SE3401 , SE3415 , H05N50E ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved